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测试宽禁带半导体
内在变量 (IV) 的检定对于开发宽禁带半导体至关重要。与传统材料相比，这些半导体具有优异的电气特性，在功率电子产品等方面有着广阔的应用前景。了解这些材料的 I-V 特性将有助于它们的优化利用和发展。
安全、可持续地创造更高效的设计
碳化硅和氮化镓如何改变行业
iSiC 和氮化镓的应用范围很广，包括功率电子产品、高频电子设备、LED 以及航空航天和国防。它们正在推动这些领域开发更高效、更先进的技术，并推动创新和进步。
脉冲 I-V 检定
脉冲 I-V 是测量半导体和设备电气特性的实用技术。通过施加短电压脉冲，我们可以分析设备的电阻、电容和其他性能指标。这种技术对于功率半导体行业的设备工程师、研究人员和设计人员开发先进高效的电子设备非常有用。
使用吉时利 KickStart 软件和 2470 高电压 SourceMeter® 源测量单元 (SMU) 进行反向击穿电压测试。
了解详情：
评估击穿电压以确保可靠性
在击穿电压测试中，通常会对设备施加不断增加的电压水平，直到其电气绝缘性能出现故障。击穿电压可以使用专门的测试设备和程序进行测量，并且可能取决于多种因素，例如材料的特性、厚度和设备的几何形状。
击穿电压测试是确保电气和电子设备可靠性和性能的重要程序。
探索和测量曲线系列
曲线系列是工程学中的一个基本概念，在设计和分析复杂的系统中起着至关重要的作用。这些曲线是一组图解法，它们的参数之间具有相似的特征和函数关系。工程师使用这些曲线来了解系统在不同条件下的行为，例如载荷、应力、温度和压力。他们还使用它们来选择最佳设计参数，从而优化工业过程的性能。从电气工程到机械工程，曲线系列是不可或缺的工具，可帮助工程师做出明智的决策并创建有效的解决方案。
使用 MOSFET 轻松切换和放大电路
MOSFET 或金属氧化物半导体场效应晶体管是现代工程设计中最常用的电子元件之一。MOSFET 凭借其高效和多功能性，使电路能够变得更小、更高效，这在现代电子产品中至关重要，从而彻底改变了电子工程。随着 MOSFET 在今天的电子设备中越来越重要，对其进行精确的测量就显得尤为重要。测量 MOSFET 通常涉及确定其电气特性，例如电阻、电容和电流电压 (I-V) 曲线。工程师使用各种技术和仪器来测量 MOSFET 的性能，这使他们能够优化电路设计并确保可靠运行。
