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以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用，是各国争相发展的重点领域。第三代宽禁带半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性，不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求，还可以降低50%以上的能量损失，最高可使装备体积减小近75%，在半导体材料领域具有里程碑意义。
随着宽禁带技术的进步，材料工艺与器件工艺的逐步成熟，在一些高端应用领域，正在逐步取代第一代、第二代半导体材料，建立了衬底、外延、器件以及应用等完整的产业链。除了美国、欧洲、日本等高科技企业在技术上的强力推进，国内也有数十家科技企业投入大量资金布局第三代半导体业务。在大规模商用上，较高的技术门槛和成本依然是第三代宽禁带半导体发展的瓶颈。
当前整个电源产业正发生着深刻的变革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体技术已经在众多行业中得到了广泛的应用，也给电源的开发测试工作带来了众多的挑战。
泰克科技始终密切跟踪最新技术的进展，通过和业内领军企业的密切合作来开发针对性的测试方案。基于其性能一枝独秀的光隔离探头以及示波器等产品，泰克为广大电源工程师们提供卓越的完整测试解决方案。
