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能效

在实验室和晶圆测试环境中测试 Si、SiC 和 GaN MOSFET,确保安全、精准和快速。了解在设计中采用 SiC 和 GaN 导致的测试挑战以及如何解决它们的更多信息。了解如何最大程度降低最终产品的功耗和最大程度延长电池寿命。缩短设计的上市时间。

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功率设备检定

  • 对 Si、SiC 和 GaN 设备进行安全、精确和快速的 MOSFET 测试
  • 大功率包络
  • 安全地设置测试
  • 设备检定加快 2 倍,缩短上市时间
  • 避免昂贵的过量设计
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自动参数化测试

  • 全自动 HV 晶片级测试
  • 在不改变测试设置的情况下从高压变成低压
  • 在不重新手动配置的情况下测量电容 快速自动化
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SiC 和 GaN 功率转换

  • 攻克高共模电压
  • 同时测量多个控制和时序信号
  • 加快自动功率测量
  • 不满足一致性要求
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双脉冲测试

  • 测量开启和关闭能量损耗
  • 测量反向恢复
  • 自动示波器测量
  • 轻松生成栅极驱动信号
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最大限度延长 IoT 设备的电池寿命

  • 确定负载电流曲线
  • 模拟任意电池类型
  • 模拟任何电池类型

控制回路分析

  • 基于示波器的响应测量设置
  • 支持控制回路测量的探头特性
  • 用波特图测量稳定性裕度
  • 控制回路分析系统

电源测量和分析

  • 开关损耗测量与分析
  • 电路内电感器和变压器测量
  • GaN 和 SiC 开关器件测量
  • 安全作业区 (SOA)
  • 电源抑制比
  • 控制回路响应

分析 PDN 上的电源完整性

  • 在不阻断直流电的情况下测量高频纹波
  • 处理 1 V 至 48 V 及以上的电源
  • 最小化测量系统噪声成分
  • PDN 阻抗测量
  • 利用同步频谱和波形进行噪声搜索
  • 自动电源轨测量

三相变频驱动器上的测量

  • 在 PWM 三相电机驱动器上执行稳定的测量
  • 基于示波器的相量图
  • 测量系统效率
  • 直流总线测量
  • 支持 2V2I、3V3I 星型和增量型配置以及直流输入/三相输出。

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